隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，碳化硅（Silicon Carbide, SiC）功率模塊因其Zhuo越的性能在工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC材料以其高禁帶寬度、高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高載流子飽和速度等特性，使其在大功率領(lǐng)域中具有顯著優(yōu)勢。然而，隨著應(yīng)用的深入，SiC功率模塊的可靠性問題逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。特別是在電力電子轉(zhuǎn)換過程中，功率器件的老化問題尤為突出，其中鍵合線的失效占比高達(dá)70%，嚴(yán)重影響了SiC功率模塊的可靠性。

在SiC功率模塊中，引線鍵合作為連接芯片與外部電路的關(guān)鍵技術(shù)，其可靠性直接關(guān)系到整個(gè)模塊的性能和壽命。由于SiC芯片體積小、可鍵合面積減少，加之更大的功率密度帶來的更高交變溫度荷載，使得鍵合線和焊料層在長期服役下容易出現(xiàn)老化現(xiàn)象。因此，對SiC功率模塊引線鍵合的可靠性進(jìn)行深入分析和研究，對于提高整個(gè)模塊的性能和可靠性具有重要意義。

本文旨在通過對SiC功率模塊引線鍵合技術(shù)的可靠性分析，探討影響鍵合可靠性的關(guān)鍵因素，并提出相應(yīng)的優(yōu)化策略。我們將對其可靠性測試進(jìn)行綜合分析，以期為SiC功率模塊的設(shè)計(jì)和制造提供科學(xué)依據(jù)和技術(shù)支持。。

一、SiC 功率模塊引線鍵合可靠性分析

SiC功率模塊引線鍵合可靠性分析是指對碳化硅（SiC）功率模塊中引線鍵合技術(shù)的可靠性進(jìn)行研究和分析的過程。這項(xiàng)分析關(guān)注于評估和提高SiC功率模塊在長期運(yùn)行中的穩(wěn)定性和耐久性，特別是在大功率應(yīng)用中。以下是對這一分析的幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)的概述：

1、鍵合技術(shù)的重要性：SiC功率模塊因其高功率密度和高頻特性，在工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛應(yīng)用。然而，功率器件在電力電子轉(zhuǎn)換過程中最易老化，其失效占比超過30%，其中鍵合線失效占比高達(dá)70%。因此，對SiC功率模塊鍵合強(qiáng)度及其可靠性的研究具有重大意義。

2、鍵合參數(shù)優(yōu)化：通過單因素實(shí)驗(yàn)和正交試驗(yàn)對比法，研究者尋求工業(yè)生產(chǎn)中不同鍵合材料的zui尤參數(shù)區(qū)間。這些參數(shù)包括鍵合功率、鍵合壓力和鍵合時(shí)間，它們對鍵合強(qiáng)度有顯著影響。

3、材料對比：研究表明，Cu鍵合線的最高溫度、最大等效應(yīng)力均高于Al鍵合線，但受材料屬性影響，Cu鍵合線的最大塑性應(yīng)變僅為Al鍵合線的1/2。根據(jù)功率循環(huán)實(shí)驗(yàn)，Cu鍵合線的壽命約為Al鍵合線的4倍。

4、電熱性能分析：通過建立器件的電熱耦合模型并進(jìn)行數(shù)值仿真實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)鍵合線老化會引起正向?qū)▔航瞪仙托酒砻婢C合溫度上升，測量得到的瞬態(tài)熱阻也會增大。

5、可靠性測試：包括功率循環(huán)實(shí)驗(yàn)、剪切力實(shí)驗(yàn)等，用以評估鍵合線的可靠性和機(jī)械強(qiáng)度。例如，高鍵合功率的鍵合壽命是低超聲功率鍵合的1.5~3倍。

二、如何進(jìn)行可靠性測試？

（一）常用檢測設(shè)備

1、Beta S100 推拉力測試機(jī)

Beta S100 推拉力測試機(jī)是一款專用于微電子引線鍵合后引線焊接強(qiáng)度測試、焊點(diǎn)與基板表面粘接力測試及其失效分析領(lǐng)域的動態(tài)測試儀器。

a、測試功能

用于微電子引線鍵合后的引線焊接強(qiáng)度測試。

用于焊點(diǎn)與基板表面粘接力的測試。

用于失效分析。

b、測試類型

包括晶片推力測試。

包括金球推力測試。

包括金線拉力測試。

c、技術(shù)特點(diǎn)

采用高速力值采集系統(tǒng)。

根據(jù)測試需求更換相對應(yīng)的測試模組，系統(tǒng)自動識別模組量程。

靈活應(yīng)用于不同產(chǎn)品的測試。

每個(gè)工位獨(dú)立設(shè)置安全高度位及安全限速，防止誤操作損壞測試針頭。

d、操作特性

測試動作迅速。

測試結(jié)果準(zhǔn)確

適用面廣泛。

e、應(yīng)用領(lǐng)域

適用于半導(dǎo)體IC封裝測試。

適用于LED封裝測試。

適用于光電子器件封裝測試。

適用于PCBA電子組裝測試。

適用于汽車電子領(lǐng)域。

適用于航空航天領(lǐng)域。

f、其他應(yīng)用

可用于各種電子分析及研究單位的失效分析。

適用于各類院校的教學(xué)和研究。

2、檢測類型

（二）檢測方法（剪切力測試）

步驟1、設(shè)備與配件檢查

檢查SiC功率模塊測試機(jī)及其所有配件，確保設(shè)備完整且功能正常。

確認(rèn)測試機(jī)、剪切刀和夾具等關(guān)鍵部件均已完成校準(zhǔn)，以確保測試結(jié)果的精確性。

步驟2、模塊安裝與電源連接

將待測試的SiC功率模塊正確安裝到推拉力測試機(jī)上。

連接電源，并啟動測試機(jī)，等待系統(tǒng)自檢和模塊初始化完成。

檢查所有指示燈和顯示屏是否正常工作，確保系統(tǒng)準(zhǔn)備就緒。

步驟3、剪切刀的安裝與校準(zhǔn)

根據(jù)測試的具體需求，選擇適合的剪切刀。

將剪切刀安裝到推拉力測試機(jī)的zhi定位置，并進(jìn)行牢固鎖定，以保證測試的精確度。

步驟4、測試夾具固定

將SiC功率模塊精確地放置在測試夾具中，并確保其位置正確。

將夾具安裝到測試機(jī)的工作臺上，并使用固定螺絲將其緊固，模擬實(shí)際使用中的固定狀態(tài)。

步驟5、測試參數(shù)的設(shè)定

在測試機(jī)的軟件界面上輸入必要的測試參數(shù)，包括但不限于測試方法、傳感器選擇、測試速度、目標(biāo)力值、剪切高度和測試次數(shù)。

完成參數(shù)設(shè)置后，保存并應(yīng)用這些參數(shù)，確保測試能夠按照預(yù)定條件執(zhí)行。

步驟6、測試執(zhí)行

在顯微鏡下確認(rèn)SiC功率模塊和剪切刀的相對位置正確無誤。

啟動測試程序，密切監(jiān)視測試過程中的動作，確保一切按照設(shè)定的參數(shù)進(jìn)行。

如遇任何異常情況，立即停止測試以避免進(jìn)一步的損壞。

步驟七、結(jié)果觀察與分析

測試完成后，對SiC功率模塊的破壞情況進(jìn)行觀察，并進(jìn)行失效分析。

記錄剪切力數(shù)據(jù)，包括剪切力值、剪切位置、引線材料、鍵合方法及被鍵合的材料，以及剪切強(qiáng)度和剪切類別代號。

對每個(gè)被剪切過的鍵合點(diǎn)，都應(yīng)記錄規(guī)定的類別代號，并確定分離模式。

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