近期，有不少半導(dǎo)體行業(yè)的客戶向小編咨詢，想要進(jìn)行檢微電子封裝金絲鍵合可靠性測(cè)試，該用什么設(shè)備？金線鍵合仍是主流互聯(lián)技術(shù)的今天，鍵合金絲的可靠性直接決定了微電子器件（如CPU、存儲(chǔ)器、功率器件等）的壽命與性能。在惡劣的工作環(huán)境下，如溫度循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)等，金絲鍵合點(diǎn)可能因疲勞、柯肯德?tīng)柨斩?、界面污染等原因?qū)е率?，引發(fā)器件功能異常甚至徹di報(bào)廢。因此，對(duì)鍵合金絲進(jìn)行精確的失效分析，是提升產(chǎn)品良率、保障長(zhǎng)期可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

失效分析不僅在于“事后診斷"，更在于“事前預(yù)防"和“過(guò)程監(jiān)控"。推拉力測(cè)試作為評(píng)估鍵合強(qiáng)度最直接、zui權(quán)wei的力學(xué)手段，是失效分析工具箱中的核心利器。本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將圍繞Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)，系統(tǒng)介紹金絲失效分析的原理、標(biāo)準(zhǔn)、設(shè)備與操作流程，助力廣大微電子工程師深入理解并掌握這一關(guān)鍵技術(shù)。

一、 分析原理

推拉力測(cè)試的基本原理是模擬和量化鍵合點(diǎn)在真實(shí)應(yīng)用中可能承受的機(jī)械應(yīng)力，通過(guò)施加一個(gè)精確可控的力，直至鍵合點(diǎn)失效，從而測(cè)得其強(qiáng)度極限。

1、拉力測(cè)試

目的： 評(píng)估金絲與芯片焊盤(pán)、管腳鍵合點(diǎn)（第一、第二焊點(diǎn)）的粘附強(qiáng)度及金絲本身的抗拉強(qiáng)度。

原理： 使用精密的鉤子（測(cè)試鉤）在鍵合絲弧的中點(diǎn)下方鉤住金絲，以一個(gè)恒定的速度垂直向上或水平方向拉伸，直至金絲被拉斷或鍵合點(diǎn)被拉脫。設(shè)備記錄下整個(gè)過(guò)程的最大力值，即為鍵合點(diǎn)的拉斷力。

2、推力測(cè)試：

目的： 評(píng)估金絲第一焊點(diǎn)（芯片側(cè)）的抗剪切強(qiáng)度。

原理： 使用一個(gè)極細(xì)且平坦的推刀，對(duì)準(zhǔn)第一焊點(diǎn)的側(cè)面，以一個(gè)恒定的速度水平推進(jìn)，將焊球從芯片焊盤(pán)上剪切下來(lái)。設(shè)備記錄下剪切過(guò)程中的最大力值，即為焊球的剪切力。

通過(guò)分析力值數(shù)據(jù)、失效力值大小以及失效模式（即斷裂/脫落的位置和形貌），可以準(zhǔn)確判斷鍵合工藝的質(zhì)量和潛在的失效機(jī)理。

二、 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

MIL-STD-883 《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》

JEDEC JESD22-B116 《線纜鍵合剪切試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)》

GB/T 4937 《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》

三、 核心儀器

1、Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)

Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)是一款高精度、全自動(dòng)的鍵合強(qiáng)度測(cè)試系統(tǒng)，專為微電子封裝失效分析和高可靠性測(cè)試而設(shè)計(jì)。

主要技術(shù)特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)：

高精度力值傳感： 采用高分辨率、多量程的力傳感器，力值分辨率可達(dá)0.001克力，確保測(cè)試數(shù)據(jù)的精確性和重復(fù)性。

精密的運(yùn)動(dòng)控制： 搭載高精度步進(jìn)電機(jī)或伺服電機(jī)，配合精密的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)測(cè)試鉤/推刀的微米級(jí)定位，避免對(duì)樣品造成意外損傷。

強(qiáng)大的視覺(jué)系統(tǒng)： 集成高倍率光學(xué)顯微鏡和CCD相機(jī)，提供清晰的實(shí)時(shí)圖像，便于操作者精確尋找測(cè)試位置和觀察失效后的形貌。

四、 測(cè)試分析流程

步驟一：樣品準(zhǔn)備與安裝

將待測(cè)的封裝好的芯片樣品（如DIP、QFP、BGA等）牢固地固定在測(cè)試機(jī)的專用夾具上。

通過(guò)軟件控制平臺(tái)，移動(dòng)樣品臺(tái)，使待測(cè)鍵合絲清晰地出現(xiàn)在顯微鏡視野中央。

步驟二：測(cè)試程序設(shè)置

選擇測(cè)試模式： 根據(jù)分析目的，選擇“拉力測(cè)試"或“推力測(cè)試"模式。

參數(shù)設(shè)定：

拉力測(cè)試： 設(shè)置測(cè)試鉤類型、鉤絲高度、拉伸速度（通常為100-500 μm/s）等。

推力測(cè)試： 設(shè)置推刀類型、推刀高度（通常為焊球高度的1/4 - 1/2）、推進(jìn)速度、剪切距離等。

標(biāo)定與校準(zhǔn)： 在測(cè)試前，對(duì)力傳感器和運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)行校準(zhǔn)，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確。

步驟三：執(zhí)行測(cè)試

精確定位： 利用視覺(jué)系統(tǒng)，將測(cè)試鉤或推刀精確移動(dòng)到預(yù)設(shè)的測(cè)試位置。

啟動(dòng)測(cè)試： 啟動(dòng)測(cè)試程序，設(shè)備將自動(dòng)完成施力過(guò)程。

數(shù)據(jù)記錄： 系統(tǒng)自動(dòng)記錄下最大力值（Fmax）和力-位移曲線。

步驟四：失效模式分析（關(guān)鍵步驟）

測(cè)試結(jié)束后，立即在顯微鏡下觀察失效位置，并根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行判定：

拉力測(cè)試常見(jiàn)失效模式：

導(dǎo)線斷裂： 斷裂點(diǎn)在金絲中間，表明金絲本身強(qiáng)度足夠，但可能存在頸縮或材料缺陷。

焊盤(pán)脫落： 鍵合點(diǎn)連同芯片焊盤(pán)金屬層被拉起，表明鍵合強(qiáng)度大于焊盤(pán)與基材的附著力，是芯片制造的缺陷。

界面失效： 鍵合點(diǎn)從焊盤(pán)上完整脫落，界面潔凈，表明鍵合界面結(jié)合力弱（可能因污染、氧化或參數(shù)不當(dāng)導(dǎo)致）。

推力測(cè)試常見(jiàn)失效模式：

焊球剪切： 焊球被wan全推離焊盤(pán)。

焊盤(pán)剝離： 焊盤(pán)金屬層被破壞。

** cratering：** 硅芯片基底被壓碎，這是最嚴(yán)重的缺陷，表明鍵合工藝能量過(guò)高。

步驟五：數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)與報(bào)告生成

對(duì)同一批次的多個(gè)樣品進(jìn)行測(cè)試，統(tǒng)計(jì)平均力值、標(biāo)準(zhǔn)差和CPK值，評(píng)估工藝穩(wěn)定性。

結(jié)合力值數(shù)據(jù)和失效模式，綜合判斷鍵合工藝的薄弱環(huán)節(jié)。

使用設(shè)備軟件生成包含力值曲線、失效圖片和統(tǒng)計(jì)結(jié)果的綜合性測(cè)試報(bào)告。

以上就是小編介紹的有關(guān)于微電子封裝用鍵合金絲失效分析相關(guān)內(nèi)容了，希望可以給大家?guī)?lái)幫助。如果您還對(duì)推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用視頻和圖解，使用步驟及注意事項(xiàng)、作業(yè)指導(dǎo)書(shū)，原理、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻，推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范、使用方法和測(cè)試視頻，焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問(wèn)題感興趣，歡迎關(guān)注我們，也可以給我們私信和留言?！究茰?zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點(diǎn)、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問(wèn)題及解決方案。